西門(mén)子觸發(fā)板出現故障維修中的一些數據情況

更新時(shí)間：2019-08-20

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　　西門(mén)子觸發(fā)板維修的主要參數

　?、旁诮刂範顟B(tài)時(shí)

　?、贀舸╇妷篣ceo;和Ucex;：能使集電??和發(fā)射??之間擊穿的小電壓?；??開(kāi)路是用Uceo;表示?間接入反向偏壓時(shí)用Ucex;表示。在大多數情況下，這兩個(gè)數據是相等的。

　?、诼╇娏鱅ceo;和Icex;：截止狀態(tài)下，??極流??極的電流。但是前提條件是：,;大功率并且為風(fēng)機泵類(lèi)負載??極開(kāi)路時(shí)為Iceo;?間反偏時(shí)為Icex;。

　?、圃陲柡蜖顟B(tài)時(shí)

　?、?集電極大電流Icm;：GTR;飽和導通是的大允許電流。

　?、?飽和壓降Uces;：當GTR;飽和導通時(shí)?間的電壓降。

　?、窃陂_(kāi)關(guān)過(guò)程中

　?、?開(kāi)通時(shí)間Ton;：??極通入正向電流時(shí)起，到集電極電流上升到0：9Ics;所需要的時(shí)間。

　?、?關(guān)斷時(shí)間Toff;：從基極電流撤消時(shí)起，至Ic;下降至0：1Ics;所需的時(shí)間

　　開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM;調制是的載波頻率。通常，使用GTR;做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHz;。

　　4：變頻器用GTR;西門(mén)子觸發(fā)板維修的選用

　?、臮ceo;通常按電源線(xiàn)電壓U;峰值的2倍來(lái)選擇。

　　Uceo;≥2廠(chǎng)2U;在電源電壓為380V;的變頻器中，應有Uceo;≥2廠(chǎng)2U*380V=1074：8V;，故選用Uceo=1200V;的GTR;是適宜的。

　?、艻cm;按額定電流In;峰值的2倍來(lái)選擇Icm;≥2廠(chǎng)2In;GTR;是用電流進(jìn)行驅動(dòng)的，所需驅動(dòng)功率較大，故基極驅動(dòng)系統比較復雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。;今天我告訴大家的是MOSFET;以及IGBT;

　　1;功率場(chǎng)效應晶體管（POWERMOSFET;）;它的3;個(gè)極分別是源極S;漏??和柵極G;

　　其工作特點(diǎn)是，GS;間的控制是電壓Ugs;。改變Ugs;的大小，主電路的漏極電流Id;也跟著(zhù)改變。由于GS;間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅動(dòng)功率很小。和GTR;相比，其驅動(dòng)系統比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET;還具有熱穩定性好安全工作區大;等優(yōu)點(diǎn)。整流單元測量參考數據見(jiàn)表.;。

　　但是，功率場(chǎng)效應晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應用尚不能居主導地位。

　　2;絕緣柵雙極晶體管（IGBT;）IGBT;是MOSFET;和GTR;相結合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結構（MOS;結構）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電??發(fā)射??和柵極G;。

　　工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應晶體管相同，控制為電壓Uge;輸入阻抗很高，柵極電流I;≈0，故驅動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR;相同，工作電流為集電極電流I;。

　　以上便是今天關(guān)于西門(mén)子觸發(fā)板出現故障維修中的一些數據情況的全部分享了，希望對大家今后使用本設備能有幫助。

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